MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）日前宣布，推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路等应用,该产品于即日开始支持批量出货。 TPH3R10AQM具有业界领先的3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻，比东芝目前1…