DRAM
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预估2024年DRAM及NAND Flash营收将分别同增75%和77%
根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业分析报告，受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格，加上HBM(高带宽内存)等高附加价值产品崛起，预估DRAM（内存）及NAND Flash（闪存）产业2024年营收年增幅度将分别增加75%和77%。 而2025年产业营收将持续维持成长，DRAM年增约51%、NAND Flash年增长则来到29%，营收将创历史新…
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NVIDIA 与 SK 海力士合作高带宽内存，意图引领下一代 DRAM 市场
据报道，AI 半导体的市场领导者 NVIDIA 已要求提供 SK 海力士目前正在开发的下一代高带宽内存 (HBM) 的样品。随着 SK 海力士巩固其作为 NVIDIA 重要合作伙伴的地位，预计它将引领下一代 DRAM 市场。 据业内人士6月14日消息，SK海力士收到NVIDIA要求提供HBM3E样品的请求，正在准备出货。HBM3E是目前最高规格的DRAM H…
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三星电子启动业界首款 12nm DRAM 量产
据韩媒报道，5 月 18 日，三星宣布已开始使用极紫外光刻设备量产 12 纳米级 16 Gb DDR5 DRAM。三星电子已成为业内率先开始大规模生产电路线宽为 12 纳米 (nm)（十亿分之一米）的 DRAM 半导体的公司。 当世界顶级 DRAM 制造商三星应对超精细工艺技术的挑战时，排名第二和第三的 SK 海力士和美光已经大大缩小了差距。SK海力士计划年…
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SK海力士推出全球首款12层堆叠HBM3 DRAM，最高容量24GB
4月20日，SK海力士宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存）——HBM3*的技术界限，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。 SK海力士表示，公司已向数多全球客户公司提供了24GB HBM3 DRAM样品正在进行性能验证，据悉客户对此产品抱有极大的期待。
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AI加速高带宽内存 (HBM) 市场需求，三星电子、SK海力士占有率达90%
人工智能服务器出货量的激增大大推动了对高带宽内存 (HBM) 的需求。在这种情况下，调查结果显示，三星电子、SK海力士等韩国半导体企业的HBM市场份额在2022年达到了90%。 市场研究公司 TrendForce 于 4 月 18 日宣布，去年 HBM 市场份额的顺序为 SK 海力士（50%）、三星电子（40%）和美光（10%）。HBM 是一种高性能 DRA…
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DRAM、NAND 现货价格出现复苏迹象
在三星电子最近宣布减产后，DRAM 和 NAND 闪存现货价格正在反弹。不过，今年上半年全行业复苏的可能性很小。 市场研究公司DRAM eXchange 4月13日公布，当天16Gb DDR4 2666 DRAM现货价格为3.24美元。该产品价格在 4 月 11 日上涨了 0.78%，并维持在该水平。现货价格在 13 个月内上涨。去年 3 月 7 日，它是 …
