DRAM

  • 预估2024年DRAM及NAND Flash营收将分别同增75%和77%

    根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业分析报告,受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格,加上HBM(高带宽内存)等高附加价值产品崛起,预估DRAM(内存)及NAND Flash(闪存)产业2024年营收年增幅度将分别增加75%和77%。 而2025年产业营收将持续维持成长,DRAM年增约51%、NAND Flash年增长则来到29%,营收将创历史新…

    2024-07-24
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  • NVIDIA 与 SK 海力士合作高带宽内存,意图引领下一代 DRAM 市场

    据报道,AI 半导体的市场领导者 NVIDIA 已要求提供 SK 海力士目前正在开发的下一代高带宽内存 (HBM) 的样品。随着 SK 海力士巩固其作为 NVIDIA 重要合作伙伴的地位,预计它将引领下一代 DRAM 市场。 据业内人士6月14日消息,SK海力士收到NVIDIA要求提供HBM3E样品的请求,正在准备出货。HBM3E是目前最高规格的DRAM H…

    2023-06-19
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  • 三星电子启动业界首款 12nm DRAM 量产

    据韩媒报道,5 月 18 日,三星宣布已开始使用极紫外光刻设备量产 12 纳米级 16 Gb DDR5 DRAM。三星电子已成为业内率先开始大规模生产电路线宽为 12 纳米 (nm)(十亿分之一米)的 DRAM 半导体的公司。 当世界顶级 DRAM 制造商三星应对超精细工艺技术的挑战时,排名第二和第三的 SK 海力士和美光已经大大缩小了差距。SK海力士计划年…

    2023-05-20
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  • SK海力士推出全球首款12层堆叠HBM3 DRAM,最高容量24GB

    4月20日,SK海力士宣布,再次超越了现有最高性能DRAM(内存)——HBM3*的技术界限,全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片,成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品,并正在接受客户公司的性能验证。 SK海力士表示,公司已向数多全球客户公司提供了24GB HBM3 DRAM样品正在进行性能验证,据悉客户对此产品抱有极大的期待。

    2023-04-21
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  • AI加速高带宽内存 (HBM) 市场需求,三星电子、SK海力士占有率达90%

    人工智能服务器出货量的激增大大推动了对高带宽内存 (HBM) 的需求。在这种情况下,调查结果显示,三星电子、SK海力士等韩国半导体企业的HBM市场份额在2022年达到了90%。 市场研究公司 TrendForce 于 4 月 18 日宣布,去年 HBM 市场份额的顺序为 SK 海力士(50%)、三星电子(40%)和美光(10%)。HBM 是一种高性能 DRA…

    2023-04-20
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  • DRAM、NAND 现货价格出现复苏迹象

    在三星电子最近宣布减产后,DRAM 和 NAND 闪存现货价格正在反弹。不过,今年上半年全行业复苏的可能性很小。 市场研究公司DRAM eXchange 4月13日公布,当天16Gb DDR4 2666 DRAM现货价格为3.24美元。该产品价格在 4 月 11 日上涨了 0.78%,并维持在该水平。现货价格在 13 个月内上涨。去年 3 月 7 日,它是 …