长飞先进半导体
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长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户光谷
8月25日，东湖高新区管委会与长飞先进半导体签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。 据悉，长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等 ，将助力武汉打造国内化合物半导体产业高地。 资料显示，安徽长飞先进半导体有限…
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长飞先进建第三代半导体功率器件项目，拟投资60亿元
6月26日，长飞光纤董事会审议通过了《安徽长飞先进半导体有限公司2023年增资及融资计划》，同意长飞先进半导体投资60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目，其中包括约36亿元的股权融资及约24亿元的银行贷款。本项目拟落地在湖北省武汉市东湖新技术开发区，建设第三代半导体外延、晶圆制造、封测等产线，建设完毕后将形成年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、年产6100…
