存储芯片
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Neo 半导体推出 3D X-DRAM，容量明显超过当前的 2D DRAM 解决方案
据媒体报道，总部位于美国的 3D NAND 闪存厂商 Neo Semiconductor 近日推出了 3D X-DRAM 存储芯片，声称是全球首个采用类似于 3D NAND 的 DRAM，其容量明显超过当前的 2D DRAM 解决方案。 3D X-DRAM 存储的首个版本实现了 128 Gb，每个芯片 230 层，密度比目前的 2D DRAM 芯片高 8 倍…
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致真存储芯片项目签约青岛，总投资28.5亿元新建存储芯片生产线及研发中心
4月22日，青岛西海岸新区举办二季度重大项目签约暨开工现场推进会。现场共签约29个项目、总投资441亿元；开工30个项目、总投资331亿元。 其中，致真存储芯片项目签约青岛西海岸新区，总投资28.5亿元，分两期在新区建设8英寸、12英寸新一代存储芯片生产线及研发中心，所产芯片将极大提升物联网及汽车芯片存储器性能，将助力新区打造国内存储芯片产业新增长极。 官网…
