2023年10月12日上午8点28分,乾晶半导体(衢州)有限公司碳化硅衬底项目中试线主厂房结顶仪式在智造新城东港八路78号一期地块隆重举行。
据悉,乾晶半导体碳化硅抛光衬底研发/中试项目,总占地面积22亩,总建筑面积约19000平方米,总投资约3亿元,计划建成碳化硅6/8英寸单晶生长和衬底加工的中试基地,是衢州市重点招商引资的“乾晶半导体(衢州)有限公司年产60万片碳化硅衬底材料项目”的第一期。
乾晶半导体(衢州)作为杭州乾晶半导体有限公司的全资子公司及生产基地,自一期工程开工以来,始终坚持“质量第一、安全第一”,经过施工单位中电二公司和乾晶半导体项目团队的共同努力,仅用4个月中试车间金顶就顺利完工,为接下来的洁净间机电安装、设备搬入和生产线调试奠定了坚实基础。
随着厂房主体结构最后一块混凝土浇筑完毕,结顶仪式顺利完成,标志着乾晶半导体在产业发展道路上迈出了坚实的一步。
关于乾晶半导体:
杭州乾晶半导体有限公司,2020年7月成立于浙江大学杭州国际科创中心,专注于第三代半导体材料领域,是一家集半导体碳化硅单晶生长、晶片加工和设备开发为一体的高新技术企业。公司的核心团队来自于浙江大学硅材料国家重点实验室,与浙大科创中心先进半导体研究院成立联合实验室共同承担SiC材料的产业化任务,力争在三到五年内打造成为国际知名的第三代半导体材料品牌和标杆企业,为第三代半导体产业提供有力支撑。
杭州乾晶半导体有限公司,致力于为上述领域的国内外客户,提供高品质、低成本的SiC衬底产品,同时也为国内外同行提供高质量的半导体衬底材料解决方案,包括但不限于晶片代加工服务,晶片和晶体检测服务等,助力我国第三代半导体产业的发展。
本文转载并注明其他来源的稿件,是本着为读者传递更多信息的目的,并不意味赞同其观点或证实其内容的真实性。如有疑问,请联系695036288@qq.com。