据黄冈日报消息，日前，三利谱超宽幅偏光片生产项目在黄冈高新区正式开工。
据三利谱此前公告显示，项目总投资为100亿元，设计产能为1.4亿㎡/年，预计年产值100亿元，分两期建设。其中一期投资50亿元，其中固定资产投资24亿元，流动资金26亿元，拟建设一条宽幅1720mm和一条超宽幅2520mm生产线，预计2025年初建成投产，2025年底达产，达产后预计年产偏光片约0.7亿平方米，二期建设内容与一期一致。整体两期项目达产后预计年产偏光片约1.4亿平方米，两期建成后年产值可达约100亿元。
三利谱表示，本次项目的实施将使进一步扩大在大尺寸偏光片的市场占有率，缩短和世界一流偏光片领军企业的差距。
本文转载并注明其他来源的稿件，是本着为读者传递更多信息的目的，并不意味赞同其观点或证实其内容的真实性。如有疑问，请联系695036288@qq.com。
英国科学、创新与技术部（DSIT）5月18日宣布，英国政府将在未来十年投入10亿英镑加强国内半导体产业和供应链。英国政府将首先在2023至2025年投资2亿英镑，在未来十年内将规模增至10亿英镑。 DSIT表示，该战略侧重于英国在设计半导体方面的作用。英国首相苏纳克在声明中指出：“我们的新战略专注于我们的优势所在，如研究和设计等领域。这样我们可以在全球舞台上…
11月3日消息，近日，中国台湾半导体制造公司力积电计划与SBI控股在日本宫城县共同建设一座价值8000亿日元（合53亿美元）的半导体工厂。 据报道，两家公司表示该工厂将需要初始投资4200亿日元，其中力积电和SBI将承担超过一半的费用，其余费用将来自投资者、银行贷款和政府补贴。 该工厂将生产汽车芯片和电源控制器等28纳米、40纳米、55纳米的芯片，计划月产4…
根据中国科学院10月23日消息，近日中科院微电子研究所先导中心研究员殷华湘团队，在GAA晶体管制造工艺上取得突破。 随着传统鳍形晶体管FinFET技术遇到瓶颈，3nm以下节点采用GAA结构是未来的发展方向。根据官方介绍，GAA晶体管技术需突破N型与P型器件工作电流（Ion）严重失配和阈值电压（Vth）调控困难等挑战。这对纳米片沟道材料和高κ金属栅材料提出了更…
就像其他大型芯片设计商一样，AMD已经开始使用人工智能来设计芯片。事实上，AMD 首席执行官苏姿丰（Lisa Su）认为，随着现代处理器的复杂性呈指数级增长，人工智能工具最终将主导芯片设计。 AMD 首席执行官苏姿丰在上海举行的2023年世界人工智能大会（WAIC）上表示，她相信人工智能将主导芯片设计的某些领域。据DigiTimes报道，她还强调了跨学科合作…
SK 海力士日前宣布，继 2022 年 8 月开发完成后，其 238 层 4D NAND 闪存已开始量产，并且正在与全球智能手机制造商进行产品兼容性测试。 SK海力士表示，“SK海力士采用238层NAND技术，为智能手机和用作PC存储设备的客户端SSD开发了解决方案产品，并已于5月投入量产。” “鉴于公司在 238 层 NAND 和上一代 176 层 NAN…
