由于生成型人工智能（AI）的蓬勃发展推动了对高带宽内存（HBM）的需求，SK海力士今年第二季度的全球DRAM市场份额突破了30%。它与市场领导者三星电子的差距已达到十年来的最低点。
市场研究公司Omdia 9月3日数据显示，今年第二季度全球DRAM销售额总计107亿美元，同比下降57%，但较第一季度增长15%。
从供应商来看，排名第一的三星电子的 DRAM 销售额为 41 亿美元，较上一季度仅增长 3%。其市场份额从第一季度的42.8%下降4.6个百分点至38.2%。SK海力士第二季度DRAM销售额大幅增长49%，达到34亿美元。市场份额为31.9%，较上一季度的24.7%上升7.2个百分点。
因此，SK海力士以25.0%的份额从美国芯片制造商美光手中夺回了第二名的位置。其与三星电子的市场份额差距从第一季度的18.1个百分点缩小到第二季度的6.3个百分点。
两家公司的DRAM份额差距缩小至10个百分点以内。这种事很少发生过。OMDIA 表示：“两家芯片制造商之间的差距处于 10 年来的最低水平。”
三星的年度市场份额最后一次保持在30%的区间是在2013年，当时达到了36.2%。另一方面，SK海力士在过去10年里从未有过年市场份额超过30%的情况。此后，三星的市场份额一直保持在 40 多岁左右，SK 海力士则保持在 20 多岁左右。
SK海力士今年第一季度滑落至第三位，但在第二季度反弹，这主要归功于人工智能热潮。这是因为HBM进入了人工智能领域用于数据处理的图形处理单元（GPU），例如ChatGPT。Omdia 表示：“随着人工智能需求的全面展开，HBM 和 128 GB 或以上服务器的大容量产品的销售强劲。” “由于优质 DRAM 的扩张，DRAM 价格下降速度已经放缓。”
此外，Omdia表示，人工智能需求的强劲势头预计将主动给DRAM市场带来变化。特别是，Omdia 预测，年初对 HBM 的需求预计将增长 50% 以上，今年和明年将增长 100% 以上。
由于 HBM 被视为摆脱当前半导体市场衰退的出路，三星电子和 SK 海力士之间的竞争也在升温。SK海力士8月21日宣布完成HBM3E的开发，并开始向Nvidia运送HBM3E样品进行性能验证。HBM3E是继当今市场上规格最高的第四代产品（HBM3）之后的第五代产品。此前，SK海力士于2021年开发出全球首款HBM3，并于2022年成功量产。
SK海力士在HBM开发竞赛中领先三星电子一步。《华尔街日报》最近报道了SK海力士的HBM业务，称“SK海力士比十年前的竞争对手更积极地押注HBM，成为人工智能应用崛起的早期赢家之一。”
三星正在加紧努力超越SK海力士。一些观察人士认为，三星从第四季度开始向Nvidia供应HBM3将动摇SK海力士的HBM3垄断地位。
9月1日，三星电子宣布开发出业界首款12纳米32Gb DDR5 DRAM，有望帮助三星提升HBM产能。这是因为 32 Gb DDR5 内存无需硅通孔 (TSV) 连接即可制造，而硅通孔是生产 HBM 的关键组件。这意味着芯片制造商可以将所有 TSV 工艺设备集中用于 HBM 生产。
三星电子计划在今年内量产 12 纳米 32 Gb DDR5 DRAM。三星电子内存业务部门 DRAM 开发副总裁 Hwang Sang-jun 表示：“通过这款 12 纳米 32 Gb DRAM，我们获得了可以创建 1 TB 模块的解决方案。” “三星电子将继续通过差异化的工艺和设计技术克服存储技术的限制。”
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