与 DRAM 相比，NAND 闪存需求复苏缓慢，导致包括三星电子和 SK 海力士在内的半导体行业陷入困境。这是因为人工智能（AI）行业的增长导致 DRAM 盈利能力的提高，但也产生了抑制 NAND 闪存需求的负面影响。
8月17日业内人士透露，今年上半年，三星电子和SK海力士的半导体库存大幅增加。三星电子负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门的库存从2022年底的290576亿韩元增加到今年上半年末的336896亿韩元，增长了约16%。
SK海力士还公布了价值16.4202万亿韩元的库存，较2022年底增长约5%。两家公司在7月的第二季度财报中均解释称，半导体库存已在第二季度见顶，并呈下降趋势，但分析师认为，他们的库存在上半年稳步上升，但尚未得到充分削减。
分析师表示，这是因为 NAND 闪存需求低迷正在抵消减产的影响。
就 DRAM 而言，三星电子、SK 海力士和美光占据了 90% 以上的市场份额，而 NAND 闪存市场则由大约 7 至 8 家公司主导，其中包括这 3 家公司。因此，NAND闪存供应商的议价能力比DRAM要弱。
作为半导体行业主要客户的大型科技公司最近将投资重点转向人工智能相关行业，也是NAND闪存需求未能恢复的原因之一。
AI服务器半导体市场快速增长，DDR5、HBM等新一代高性能DRAM得到大量应用。这在提高 DRAM 市场的盈利能力方面发挥着重要作用，但就 NAND 闪存而言，很难看到额外的盈利能力提高，因为它们只进入已经在企业中使用的企业级固态硬盘 (SSD)。服务器。
一些分析师认为，随着服务器投资的削减，对 NAND 闪存的需求可能会进一步下降。市场研究公司TrendForce预计，今年服务器出货量预计将较2022年萎缩5.94%。
三星电子和SK海力士计划在下半年通过削减额外的NAND闪存产量来管理库存，以防止NAND闪存市场的低迷对已经开始上涨的DRAM市场产生负面影响。
三星电子在第二季度财报电话会议上表示，下半年将继续削减以 NAND 闪存为核心的存储半导体业务。SK海力士宣布计划下半年进一步削减NAND产量5%至10%。
此外，他们正在积极开发能够提高盈利能力的下一代产品。对此，SK海力士最近在美国2023年闪存峰会上揭晓了其目前正在开发的321门1Tb TLC 4D NAND样品。在 2022 年三星技术日上，三星电子宣布了到 2030 年开发出 1,000 层 NAND 闪存的目标。
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