8月8日，北京天科合达全资子公司江苏天科合达半导体有限公司碳化硅晶片二期扩产项目开工活动在徐州市经济开发区成功举办。
据悉，江苏天科合达二期项目投资8.3亿元，购置安装单晶生长炉及配套设备合计647台（套），可实现年产碳化硅衬底16万片，并计划明年6月份建设完成，同年8月份竣工投产，届时江苏天科合达总产能将达到23万片，年产值10亿元以上。
资料显示，北京天科合达是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅衬底及相关产品研发、生产和销售的国家级高新技术企业，公司导电型晶片全球市场占有率排名第二、国内占有率排名第一。
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