电动车飙速成长掀起第三代半导体缺货潮，科技大厂争相投资碳化矽（SiC）产业，以卡位汽车动力系统的主导权。业者指出，台厂第三代半导体基板业者，包括环球晶、汉民及广运等集团，可望从欧美日主导的供应链中突围，成为国际市场新宠。
根据国际能源总署（IEA）估计，今年全球新能源车出货量挑战1,400万辆、年增35％，在SiC供不应求压力下，科技大厂抢料风潮一触即发。
继意法半导体携手三安光电合资SiC新厂后，车用晶片巨擘瑞萨因应日本甲府12吋功率半导体新厂将于2025年量产的目标，为确保长期供货来源，日前与Wolfspeed宣布签订20亿美元长约供应SiC晶圆，凸显「得基板者得天下」的竞争态势，并带动Wolfspeed上周大涨14.48％。
外电指出，三星电子也跨入第三代半导体，2025年将切入8吋氮化镓(GaN) 功率半导体代工服务。
目前第三代半导体由欧美日企业主导，惟台湾完整半导体产业链则是优势，也被视为是重要委外制造伙伴，目前台湾四大晶圆厂，皆有投入发展氮化镓（GaN）。另外也有众多集团积极投入第三代半导体领域，如汉民（汉磊、嘉晶）、中美晶（环球晶）、广运（太极、盛新）等，各自于长晶、晶圆代工甚至是长晶炉设备做发挥。此外，虹冠电挟强茂集团资源积极跨足，台亚、联合再生也喊出新的策略目标。
台湾第三代半导体基板厂由环球晶、汉磊及盛新三分天下，制造则由台积电、联电、世界先进、晶成及积亚等为主，国际IDM厂则为Wolfspeed、英飞凌、意法、ON Semi及ROHM等。
业者指出，第三代半导体包括SiC与GaN等宽能隙材料，较传统矽材料更能耐高温、高压及高频的特性。GaN元件常用于900V以下领域、SiC则适用于1200V以上电压，两者分别在低开关耗损、传导耗损上具备优势。SiC、GaN独特的物理特性，能帮助新能源汽车实现高频快充、长续航与轻量化的好处，因而成为市场新宠。
本文转载并注明其他来源的稿件，是本着为读者传递更多信息的目的，并不意味赞同其观点或证实其内容的真实性。如有疑问，请联系695036288@qq.com。
