近日，浙江晶能微电子有限公司设计开发的两款FRD产品流片成功。这是继750V和1200V平台的IGBT器件流片成功后，晶能开发出的第三、四款车规级功率器件。
快速恢复二极管（FRD ）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管。在新能源汽车电控模块中，FRD与IGBT配对使用。晶能开发的新一代FRD，温度系数高、散热性好、自均流效果出色，在电动汽车应用中稳定性和参数一致性具有较大优势。
晶能微电子是吉利孵化的功率半导体公司，聚焦于Si IGBT和SiC MOS的研制与创新，发挥“芯片设计+模块制造+车规认证”的综合能力，为新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能、新能源船舶等客户提供功率解决方案。
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智能电源和智能感知技术的领先企业安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），宣布已锁定共计19.5亿美元的长期供货协议 (Long-term Supply Agreement, LTSA)，为多家领先的光伏逆变器制造商提供智能电源技术，进一步巩固了安森美在这一快速增长领域的头部功率半导体供应商地位。 安森美提供卓越的裸片技术、优化和定制的模块设计及封…
6月1日消息，据媒体报道，鸿海与国巨双方合资的国创半导体将以2.04亿元台币把旗下的集成电路(IC)和碳化硅元件/模组产品业务转让给鸿海新设立的IC设计子公司。鸿海将专注于车用IC，而国巨则专注于开发MOSFET产品。国巨和鸿海将分别把对国创半导体的持股比例调整至55%和45%。国巨董事长陈泰铭被任命为国创半导体与富鼎先进的董事长。
据报道，SK 海力士正在推迟其在中国大连的第二个 3D NAND 工厂的完工。DigiTimes援引韩国媒体报道称，这一决定是为了应对内存市场需求萎缩以及美国限制向中国出口先进晶圆厂工具。此外，由于向中国进口晶圆厂设备存在问题，SK海力士甚至可能在完成晶圆厂设备搬入之前出售晶圆厂外壳。 SK海力士于2021年接管英特尔的3D NAND生产和SSD业务，获得大…
据路透社报道，日本政府3月31日宣布，将对23种芯片制造设备的出口施加限制。路透社认为，这是日本在配合美国实施的针对中国的芯片出口管制措施。 报道称，日本经济产业省大臣当天表示，将从7月开始对六大类23种芯片制造设备的出口加以限制，涉及芯片的清洁、沉积、光刻、蚀刻等，可能会影响到尼康、东京电子等十几家日本企业。这些措施没有明确指出是在针对中国，只表示设备制造…
