4月20日，SK海力士宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存）——HBM3*的技术界限，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。
SK海力士表示，公司已向数多全球客户公司提供了24GB HBM3 DRAM样品正在进行性能验证，据悉客户对此产品抱有极大的期待。
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