SK海力士推出全球首款12层堆叠HBM3 DRAM,最高容量24GB

4月20日,SK海力士宣布,再次超越了现有最高性能DRAM(内存)——HBM3*的技术界限,全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片,成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品,并正在接受客户公司的性能验证。

SK海力士推出全球首款12层堆叠HBM3 DRAM,最高容量24GB

SK海力士表示,公司已向数多全球客户公司提供了24GB HBM3 DRAM样品正在进行性能验证,据悉客户对此产品抱有极大的期待。

本文转载并注明其他来源的稿件,是本着为读者传递更多信息的目的,并不意味赞同其观点或证实其内容的真实性。如有疑问,请联系695036288@qq.com。

(0)
IC创客的头像IC创客管理员
上一篇 2023-04-21
下一篇 2023-04-21

相关推荐

  • 晶升股份李辉:十年专注半导体长晶设备 碳化硅成新风口

    “在成为半导体级单晶硅炉龙头后,晶升股份又迎来了前景更诱人、更彰显创造力的碳化硅市场。”4月24日,半导体晶体生长设备龙头晶升股份登陆科创板。上市前夕,晶升股份创始人、董事长、总经理李辉在接受上海证券报记者专访时介绍,十年磨一剑,晶升股份已经成为沪硅产业、三安光电等国内头部硅片厂、碳化硅衬底片厂的重要供应商。 站在上市新起点,李辉表示,在积累了深厚的技术、经…

  • 晶飞半导体完成了数千万元的天使轮融资,专注于激光垂直剥离技术研究

    11月20日消息,半导体激光领域初创公司晶飞半导体,宣布已于2023年9月中旬成功完成了数千万元的天使轮融资。晶飞半导体本次融资由无限基金See Fund领投,德联资本和中科神光跟投。本轮融资所获资金将主要应用于公司产品迭代与更新。 资料显示,晶飞半导体成立于2023年7月,专注于激光垂直剥离技术研究,旨在实现对第三代半导体材料的精准剥离,以有效降低碳化硅衬…

    2023-11-20
    00
  • 东吴证券:半导体处于底部区间 23年内有望见证复苏

    东吴证券指出,半导体处于底部区间,多重信号表明23年内有望见证复苏。本轮半导体周期从21年中开始下行,见证需求趋弱、库存累计、原厂亏损,调整时间、空间均已相对到位。 从晶圆厂、封测厂、终端需求等终端多重验证,23年内周期有望见底回升。建议把握分销商库存下降、原厂库存下降、下游需求回升三重验证下的复苏机会。看好库存逐渐去化、22年率先受损、远期看仍有增量的公司…

  • 机构预测:韩国半导体将受到中美冲突的负面影响

    国际信用评级机构惠誉在当地时间6月7日的一份报告中表示,美国和中国之间的半导体冲突将伤害三星电子和SK海力士,因为这两家韩国芯片制造商的大部分产能都位于中国。惠誉分析,随着美国寻求阻止中国获得先进的半导体芯片生产设备,三星和SK海力士也面临风险。 据报道,三星闪存芯片 (NAND) 总产能的 40% 属于其在中国的工厂。中国拥有 SK 海力士 40% 至 5…

    2023-06-12
    00
  • 赛腾股份拟投25亿在浙江南浔建高端半导体等生产基地项目

    4月18日晚间,赛腾股份(603283)发布公告,拟与浙江南浔经济开发区管委会签署《项目投资协议书》,在当地投建高端半导体、新能源及消费电子智能装备生产基地项目,预计总投资25亿元。 按照计划,前述项目将由全资子公司赛腾精密电子(湖州)有限公司实施,主要建设内容为半导体检测设备、消费电子及新能源组装检测设备等,项目占地面积约380亩。赛腾股份表示,项目投建将…

发表回复

登录后才能评论